Fabrikant Productnummer:
IPP076N12N3GXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPP076N12N3GXKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Voorraad:
261 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12805104
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPP076N12N3GXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
120 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6640 pF @ 60 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
188W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IPP076
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SP000652736
IPP076N12N3G
IPP076N12N3 G-DG
IPP076N12N3 G
IPP076N12N3GXKSA1-DG
448-IPP076N12N3GXKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFR9024NPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRF6706S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
IRFR4105TRL
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
