Fabrikant Productnummer:
IPP120N06S4H1AKSA2
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPP120N06S4H1AKSA2-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voorraad:
12800340
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPP120N06S4H1AKSA2 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
21900 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3-1
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IPP120N
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP001028780
INFINFIPP120N06S4H1AKSA2
2156-IPP120N06S4H1AKSA2
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB80N06S407ATMA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB80N04S2H4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IPF09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
