Fabrikant Productnummer:
IPP65R095C7XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPP65R095C7XKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Voorraad:
362 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12804855
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPP65R095C7XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ C7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2140 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
128W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IPP65R095
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SP001080122
2156-IPP65R095C7XKSA1
INFINFIPP65R095C7XKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRF6616TR1
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
IRF5806
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
