Fabrikant Productnummer:
IPS80R600P7AKMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPS80R600P7AKMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Voorraad:
12803262
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPS80R600P7AKMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ P7
Toestand van het product
Discontinued at Digi-Key
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 170µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
60W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO251-3-342
Pakket / Doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis productnummer
IPS80R600
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,500
Andere namen
SP001644630
IFEINFIPS80R600P7AKMA1
2156-IPS80R600P7AKMA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SIHU7N60E-E3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SIHU7N60E-E3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.82
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPZA60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
IRF7416TRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
IRFZ44VZS
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK