IPT029N08N5ATMA1
Fabrikant Productnummer:

IPT029N08N5ATMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPT029N08N5ATMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Voorraad:

12803084
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPT029N08N5ATMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™ 5
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
52A (Ta), 169A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 108µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
168W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-HSOF-8-1
Pakket / Doos
8-PowerSFN
Basis productnummer
IPT029

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
SP001581494
IPT029N08N5ATMA1DKR
INFINFIPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1CT
IPT029N08N5ATMA1-DG
IPT029N08N5ATMA1TR
2156-IPT029N08N5ATMA1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IRFS7534-7PPBF

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IRF7469TRPBF

MOSFET N-CH 40V 9A 8SO

infineon-technologies

IPI120N04S302AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

infineon-technologies

IRF7526D1TRPBF

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8