Fabrikant Productnummer:
IPW60R017C7XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPW60R017C7XKSA1-DG
Beschrijving:
HIGH POWER_NEW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Voorraad:
12803928
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPW60R017C7XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
109A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.91mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9890 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
446W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-41
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW60R017
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
IPW60R017C7XKSA1-DG
448-IPW60R017C7XKSA1
SP001313542
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPZ60R017C7XKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
257
DEELNUMMER
IPZ60R017C7XKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
14.02
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
IPW65R190C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
