IPW60R018CFD7XKSA1
Fabrikant Productnummer:

IPW60R018CFD7XKSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPW60R018CFD7XKSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N CH
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 101A (Tc) 416W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Voorraad:

12804226
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPW60R018CFD7XKSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ CFD7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
18mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.91mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
251 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9901 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
416W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW60R018

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
2156-IPW60R018CFD7XKSA1
SP001715618
448-IPW60R018CFD7XKSA1
IPW60R018CFD7XKSA1-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPP80N04S2H4AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRFR3504TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 30A DPAK

infineon-technologies

IRF3707STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

infineon-technologies

IRFSL4010PBF

MOSFET N-CH 100V 180A TO262