Fabrikant Productnummer:
IPW60R070P6XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPW60R070P6XKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Voorraad:
240 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12823210
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPW60R070P6XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ P6
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.72mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
391W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW60R070
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
SP001114660
IPW60R070P6XKSA1-DG
448-IPW60R070P6XKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IXTQ160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
FCI11N60
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
IRF6617TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
