Fabrikant Productnummer:
IPW65R125C7XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPW65R125C7XKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Voorraad:
80 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12806090
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPW65R125C7XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ C7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
101W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW65R125
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
2156-IPW65R125C7XKSA1
INFINFIPW65R125C7XKSA1
SP001080138
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPS70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
IRF5305STRR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IPP80N04S404AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
