IPW65R190C7XKSA1
Fabrikant Productnummer:

IPW65R190C7XKSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPW65R190C7XKSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Voorraad:

220 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12805488
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPW65R190C7XKSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ C7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
72W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW65R190

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
2156-IPW65R190C7XKSA1
SP001080142
INFINFIPW65R190C7XKSA1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPP100N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3

infineon-technologies

IRF7471PBF

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

infineon-technologies

IRFB7437GPBF

MOSFET N CH 40V 195A TO220AB

infineon-technologies

IPI65R110CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3