Fabrikant Productnummer:
IPW65R280C6FKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPW65R280C6FKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Voorraad:
12805684
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPW65R280C6FKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-1
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW65R
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
240
Andere namen
2156-IPW65R280C6FKSA1-IT
SP000785060
IPW65R280C6
IPW65R280C6-DG
INFINFIPW65R280C6FKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
TK14N65W,S1F
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
TK14N65W,S1F-DG
EENHEIDSPRIJS
1.41
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPI80P04P405AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
IRFR3411PBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
IRF135S203
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
