IPW95R060PFD7XKSA1
Fabrikant Productnummer:

IPW95R060PFD7XKSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPW95R060PFD7XKSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 950 V 74.7A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

Voorraad:

390 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001664
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPW95R060PFD7XKSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
950 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
74.7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.85mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
315 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9378 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
446W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-41
Pakket / Doos
TO-247-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
448-IPW95R060PFD7XKSA1
SP005547003

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

G04P10HE

P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH

infineon-technologies

IQE065N10NM5SCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

diodes

DMP3096LQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

onsemi

NVBLS0D5N04CTXGAW

MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF