Fabrikant Productnummer:
IRF100P219AKMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF100P219AKMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Voorraad:
383 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12989793
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF100P219AKMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
StrongIRFET™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
203A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
12020 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
25
Andere namen
SP005537805
448-IRF100P219AKMA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
TPW5200FNH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
