Fabrikant Productnummer:

IRF1902TRPBF

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRF1902TRPBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12804312

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRF1902TRPBF Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Infineon Technologies

Verpakking

-

Reeks

HEXFET®

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

20 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

2.7V, 4.5V

Rds aan (max) @ id, vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

Vgs (Max.)

±12V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

310 pF @ 15 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

2.5W (Ta)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

8-SO

Pakket / Doos

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

IRF1902TRPBF-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

4,000

Andere namen

IRF1902TRPBF-DG

IRF1902TRPBFTR

SP001564704

IRF1902TRPBFCT

IRF1902TRPBFDKR

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

infineon-technologies

IRF5210L

MOSFET P-CH 100V 40A TO262

infineon-technologies

IRF3710ZSPBF

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

infineon-technologies

IPW80R290C3AFKSA1

MOSFET N-CH 800V TO247

infineon-technologies

IRF9Z34NL

MOSFET P-CH 55V 19A TO262