IRF3710PBF

Fabrikant Productnummer:

IRF3710PBF

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRF3710PBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

3201 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12805297

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRF3710PBF Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Infineon Technologies

Verpakking

Tube

Reeks

HEXFET®

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

57A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

23mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

130 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

3130 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

200W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220AB

Pakket / Doos

TO-220-3

Basis productnummer

IRF3710

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

50

Andere namen

INFIRFIRF3710PBF

2156-IRF3710PBFINF

*IRF3710PBF

SP001551058

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

IRF7433

MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO

infineon-technologies

IRF5803TR

MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6

infineon-technologies

IRLB4132PBF

MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB

infineon-technologies

IRFR4104TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK