IRF5210PBF
Fabrikant Productnummer:

IRF5210PBF

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRF5210PBF-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

6302 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12814898
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IRF5210PBF Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
200W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IRF5210

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
SP001559642
*IRF5210PBF

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
epc

EPC2052

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE

texas-instruments

CSD25301W1015

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

infineon-technologies

IRF1405Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

epc

EPC2014

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE