IRF6603TR1

Fabrikant Productnummer:

IRF6603TR1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRF6603TR1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

12805191

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IRF6603TR1 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Infineon Technologies

Verpakking

-

Reeks

HEXFET®

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

30 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

27A (Ta), 92A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

72 nC @ 4.5 V

Vgs (Max.)

+20V, -12V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

6590 pF @ 15 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

3.6W (Ta), 42W (Tc)

Werkende Temperatuur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

DIRECTFET™ MT

Pakket / Doos

DirectFET™ Isometric MT

Datasheet & Documenten

Datasheets

HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1,000

Andere namen

SP001531594

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

infineon-technologies

IPB65R125C7ATMA2

MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3

infineon-technologies

SPW12N50C3FKSA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3

infineon-technologies

IRLU3114ZPBF

MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK

infineon-technologies

IRFH7923TRPBF

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56