Fabrikant Productnummer:
IRF6609TR1PBF
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF6609TR1PBF-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 20 V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Voorraad:
12804135
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF6609TR1PBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
31A (Ta), 150A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6290 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
DIRECTFET™ MT
Pakket / Doos
DirectFET™ Isometric MT
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
IRF6609TR1PBFCT
IRF6609TR1PBFTR
SP001532204
IRF6609TR1PBFDKR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD30N06S2L-13
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
IRFHM8337TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
IPD031N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
