Fabrikant Productnummer:
IRF8010PBF
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF8010PBF-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
1428 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12803549
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF8010PBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3830 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
260W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IRF8010
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
2156-IRF8010PBFINF
*IRF8010PBF
SP001575444
INFIRFIRF8010PBF
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRF6215L-103
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
IRFR7446TRPBF
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
