Fabrikant Productnummer:
IRFB3306PBF
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRFB3306PBF-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
5368 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13064037
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRFB3306PBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
HEXFET®
Verpakking
Tube
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
230W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IRFB3306
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
448-IRFB3306PBF
IRFB3306PBF-ND
SP001556002
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPP65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
IPD06P004NATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3
