Fabrikant Productnummer:
IRFB4410PBF
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRFB4410PBF-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
8029 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12818350
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRFB4410PBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5150 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
200W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IRFB4410
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
100
Andere namen
SP001556060
*IRFB4410PBF
IFEINFIRFB4410PBF
2156-IRFB4410PBFINF
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRF8707GPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IPL60R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
CSD16327Q3T
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON