IRLB3813PBF
Fabrikant Productnummer:

IRLB3813PBF

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRLB3813PBF-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

5741 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12810582
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IRLB3813PBF Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
260A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.95mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
8420 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
230W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IRLB3813

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
SP001558110
64-0084PBF
64-0084PBF-DG
2156-IRLB3813PBF
IFEINFIRLB3813PBF

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IRF6655TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFR3103TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

microchip-technology

TP2640N3-G

MOSFET P-CH 400V 180MA TO92-3

microchip-technology

TP2640LG-G

MOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC