ISC0602NLSATMA1
Fabrikant Productnummer:

ISC0602NLSATMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

ISC0602NLSATMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 14A (Ta), 66A (Tc) 2.5W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Voorraad:

11602 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12965946
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

ISC0602NLSATMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™ 5
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
14A (Ta), 66A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 29µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TDSON-8-6
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
ISC0602N

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
5,000
Andere namen
448-ISC0602NLSATMA1CT
SP005430396
448-ISC0602NLSATMA1DKR
448-ISC0602NLSATMA1TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIHU7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

vishay-siliconix

SI7812DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIRA14BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8