Fabrikant Productnummer:
SPB18P06PGATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SPB18P06PGATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
2030 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13064319
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SPB18P06PGATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SIPMOS®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
81.1W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SPB18P06
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP000102181
SPB18P06P G-ND
SPB18P06PGINDKR-ND
SPB18P06PGINDKR
SPB18P06PGINTR-ND
SPB18P06PGXT
SPB18P06PGINCT-ND
SPB18P06PGATMA1CT
SPB18P06PGINCT
SPB18P06PGATMA1TR
SPB18P06PGATMA1DKR
2156-SPB18P06PGATMA1
IFEINFSPB18P06PGATMA1
SPB18P06P G
SPB18P06PGINTR
SPB18P06PG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
SPP80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
SPA06N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
