Fabrikant Productnummer:
SPB80P06PGATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SPB80P06PGATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Voorraad:
41 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12806151
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SPB80P06PGATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
340W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3-2
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
SPB80P06
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP000096088
SPB80P06P G-DG
SPB80P06PGATMA1CT
SPB80P06PGXT
SPB80P06PGINDKR-DG
SPB80P06PGINCT
SPB80P06P G
SPB80P06PG
SPB80P06PGINDKR
SPB80P06PGATMA1DKR
SPB80P06PGATMA1TR
SPB80P06PGINDKRINACTIVE
SPB80P06PGINCT-DG
SPB80P06PGINTR
SPB80P06PGINTR-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
