Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
SPP06N60C3XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SPP06N60C3XKSA1-DG
Beschrijving:
LOW POWER_LEGACY
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12863090
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SPP06N60C3XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 260µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
74W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3-1
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SPP06N
Datasheet & Documenten
Technische fiches
SPP06N60C3
Datasheets
SPP06N60C3XKSA1
HTML Gegevensblad
SPP06N60C3XKSA1-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP000681028
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STP10NK60Z
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
905
DEELNUMMER
STP10NK60Z-DG
EENHEIDSPRIJS
1.46
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
SPP17N80C3XKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1700
DEELNUMMER
SPP17N80C3XKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
2.02
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXTP4N65X2
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
232
DEELNUMMER
IXTP4N65X2-DG
EENHEIDSPRIJS
1.12
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXTP10N60P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IXTP10N60P-DG
EENHEIDSPRIJS
2.26
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
3N163
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
IPP60R750E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3
RJK1055DPB-00#J5
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
UPA2600T1R-E2-AX
MOSFET N-CH 20V 7A 6HUSON