Fabrikant Productnummer:
SPP07N60S5HKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SPP07N60S5HKSA1-DG
Beschrijving:
LOW POWER_LEGACY
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voorraad:
12806966
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SPP07N60S5HKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 350µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3-1
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SPP07N
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP000012115
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPP60R120P7XKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IPP60R120P7XKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.49
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DEELNUMMER
STP10N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
990
DEELNUMMER
STP10N60M2-DG
EENHEIDSPRIJS
0.51
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRF8707GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
IRLR8503TRPBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
