Fabrikant Productnummer:
SPP08N80C3XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SPP08N80C3XKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Voorraad:
1997 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12807363
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SPP08N80C3XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SPP08N80
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SP000683156
SPP08N80C3IN
SPP08N80C3IN-NDR
SPP08N80C3XKSA1-DG
SPP08N80C3XTIN-DG
SPP08N80C3X
448-SPP08N80C3XKSA1
SPP08N80C3
SPP08N80C3IN-DG
SPP08N80C3XTIN
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SPA15N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
IRFB4137PBF
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
SPD07N60C3
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
