SPP80P06PHXKSA1
Fabrikant Productnummer:

SPP80P06PHXKSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SPP80P06PHXKSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Voorraad:

5150 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12807507
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SPP80P06PHXKSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
340W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3-1
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SPP80P06

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1-DG
SPP80P06P G
SP000441774
SPP80P06P H
448-SPP80P06PHXKSA1
SPP80P06P H-DG
SPP80P06P G-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IRLML0100TRPBF

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

infineon-technologies

SPB100N03S2-03 G

MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3

infineon-technologies

IRFL4105TR

MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

infineon-technologies

IRLR2705TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK