Fabrikant Productnummer:
IRF6662TRPBF
Product Overview
Fabrikant:
International Rectifier
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF6662TRPBF-DG
Beschrijving:
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Voorraad:
9118 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12947335
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF6662TRPBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
DIRECTFET™ MZ
Pakket / Doos
DirectFET™ Isometric MZ
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
253
Andere namen
2156-IRF6662TRPBF
INFIRFIRF6662TRPBF
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
PSMN2R8-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
