Fabrikant Productnummer:
IXFH60N65X2
Product Overview
Fabrikant:
IXYS
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IXFH60N65X2-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Voorraad:
12820282
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IXFH60N65X2 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
Tube
Reeks
HiPerFET™, Ultra X2
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6180 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
780W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247 (IXTH)
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IXFH60
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
IXFH60N65X2X-DG
IXFH60N65X2XINACTIVE
IXFH60N65X2X
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IPW60R060P7XKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
60
DEELNUMMER
IPW60R060P7XKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
3.01
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IXTP14N60PM
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
IXFB170N30P
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
IXFX150N15
MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
