IXFH6N120P
Fabrikant Productnummer:

IXFH6N120P

Product Overview

Fabrikant:

IXYS

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IXFH6N120P-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Voorraad:

282 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12905410
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IXFH6N120P Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
Tube
Reeks
HiPerFET™, Polar
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2830 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AD (IXFH)
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IXFH6

Datasheet & Documenten

Technische fiches
IXF(A,P,H)6N120P
Datasheets
IXFH6N120P
HTML Gegevensblad
IXFH6N120P-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
diodes

ZXMN2A01E6TA

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

diodes

ZXMP10A18KTC

MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3

vishay-siliconix

IRFU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

diodes

ZXMP10A16KTC

MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3