Fabrikant Productnummer:
IXFP12N65X2M
Product Overview
Fabrikant:
IXYS
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IXFP12N65X2M-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Voorraad:
295 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12911708
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IXFP12N65X2M Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
Tube
Reeks
HiPerFET™, Ultra X2
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1134 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
40W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220 Isolated Tab
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis productnummer
IXFP12
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI7852ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
SI7820DN-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
IRL620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
