IXFP18N65X2M
Fabrikant Productnummer:

IXFP18N65X2M

Product Overview

Fabrikant:

IXYS

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IXFP18N65X2M-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Voorraad:

13270746
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
ZzUm
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IXFP18N65X2M Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
Tube
Reeks
HiPerFET™, Ultra X2
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1520 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
290W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220 Isolated Tab
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis productnummer
IXFP18

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
238-IXFP18N65X2M

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
taiwan-semiconductor

TSM080NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM052NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN

littelfuse

IXTA100N04T2-TRL

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

littelfuse

IXTT38N30L2HV

MOSFET N-CH 300V 38A TO268HV