IXTH2R4N120P
Fabrikant Productnummer:

IXTH2R4N120P

Product Overview

Fabrikant:

IXYS

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IXTH2R4N120P-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO247
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12821462
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IXTH2R4N120P Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
Tube
Reeks
Polar
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1207 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247 (IXTH)
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IXTH2

Datasheet & Documenten

Datasheets
IXTH2R4N120P
HTML Gegevensblad
IXTH2R4N120P-DG
Technische fiches
IXT(A,H,P)2R4N120P Building, Home Automation Appl Guide

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
littelfuse

IXTM5N100A

MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA

littelfuse

IXFJ40N30Q

MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268

littelfuse

IXTA180N085T

MOSFET N-CH 85V 180A TO263

littelfuse

IXFN100N10S3

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B