Fabrikant Productnummer:
MCB60I1200TZ
Product Overview
Fabrikant:
IXYS
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
MCB60I1200TZ-DG
Beschrijving:
1200V 90A SIC POWER MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Voorraad:
12915364
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
MCB60I1200TZ Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
-
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-268AA (D3Pak-HV)
Pakket / Doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis productnummer
MCB60I1200
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
Q10970246
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFPG40
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
SI4888DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO