MCB60I1200TZ
Fabrikant Productnummer:

MCB60I1200TZ

Product Overview

Fabrikant:

IXYS

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

MCB60I1200TZ-DG

Beschrijving:

1200V 90A SIC POWER MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)

Voorraad:

12915364
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

MCB60I1200TZ Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Littelfuse
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
-
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-268AA (D3Pak-HV)
Pakket / Doos
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basis productnummer
MCB60I1200

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
Q10970246

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRFPG40

MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3

vishay-siliconix

SI4160DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO

vishay-siliconix

SI4888DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

SI4162DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO