2N5682E4
Fabrikant Productnummer:

2N5682E4

Product Overview

Fabrikant:

Microchip Technology

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

2N5682E4-DG

Beschrijving:

POWER BJT
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 1 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12987037
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

2N5682E4 Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
Microchip Technology
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
1 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
120 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
1V @ 50mA, 500mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
10µA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
40 @ 250mA, 2V
Vermogen - Max
1 W
Frequentie - Overgang
-
Werkende Temperatuur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Leverancier Device Pakket
TO-39 (TO-205AD)

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1
Andere namen
150-2N5682E4

Milieu- en Exportclassificatie

REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
diodes

BSR43QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&

nexperia

BC846BQBZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

microchip-technology

JANSR2N5151L

RH POWER BJT

microchip-technology

2C3420-MSCL

POWER BJT