2N6796

Fabrikant Productnummer:

2N6796

Product Overview

Fabrikant:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

2N6796-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 8A TO39

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online

13247001

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

2N6796 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Microsemi

Verpakking

-

Reeks

-

Toestand van het product

Obsolete

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

180mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

6.34 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-39

Pakket / Doos

TO-205AF Metal Can

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1

Andere namen

2N6796-ND

150-2N6796

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

RoHS non-compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

JANSR2N7380

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257

APTC60DAM35T1G

MOSFET N-CH 600V 72A SP1

microchip-technology

APT77N60BC6

MOSFET N-CH 600V 77A TO247

microchip-technology

APTM100UM45DAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6