APT10M11B2VFRG
Fabrikant Productnummer:

APT10M11B2VFRG

Product Overview

Fabrikant:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

APT10M11B2VFRG-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
13256794
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

APT10M11B2VFRG Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Microsemi
Verpakking
-
Reeks
POWER MOS V®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
11mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
520W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
T-MAX™
Pakket / Doos
TO-247-3 Variant

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
APT10M11B2VFRG-ND
150-APT10M11B2VFRG

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
microsemi

JANSF2N7383

P CHANNEL MOSFET TO-257

microchip-technology

APT17F100S

MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

microsemi

APT60M80JVR

MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP

microchip-technology

APT50M75JLL

MOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP