GAN140-650EBEZ
Fabrikant Productnummer:

GAN140-650EBEZ

Product Overview

Fabrikant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

GAN140-650EBEZ-DG

Beschrijving:

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8

Voorraad:

2461 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13005803
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

GAN140-650EBEZ Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Nexperia
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V
Rds aan (max) @ id, vgs
140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 17.2mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (Max.)
+7V, -1.4V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
125 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
113W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount, Wettable Flank
Leverancier Device Pakket
DFN8080-8
Pakket / Doos
8-VDFN Exposed Pad
Basis productnummer
GAN140

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
1727-GAN140-650EBEZCT
1727-GAN140-650EBEZDKR
934665902332
5202-GAN140-650EBEZTR
1727-GAN140-650EBEZTR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
toshiba-semiconductor-and-storage

XPJR6604PB,LXHQ

40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL

panjit

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ5542-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

wolfspeed

E3M0045065K

SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4