Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
PDTC123JT,215
Product Overview
Fabrikant:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PDTC123JT,215-DG
Beschrijving:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Voorraad:
103978 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12828392
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PDTC123JT,215 Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele, Vooraf Voorzien Bipolaire Transistors
Fabrikant
Nexperia
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Stroom - collector (ic) (max)
100 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Weerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
47 kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
1µA
Vermogen - Max
250 mW
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverancier Device Pakket
TO-236AB
Basis productnummer
PDTC123
Datasheet & Documenten
Technische fiches
PDTC123JT
Datasheets
PDTC123JT,215
HTML Gegevensblad
PDTC123JT,215-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
568-8093-1
568-8093-2
NEXNXPPDTC123JT,215
568-8093-1-DG
1727-6276-6
568-8093-2-DG
2156-PDTC123JT,215-NEX
1727-6276-1
568-8093-6-DG
1727-6276-2
5202-PDTC123JT,215TR
PDTC123JT215
PDTC123JT T/R-DG
934054698215
PDTC123JT,215-DG
PDTC123JT T/R
568-8093-6
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PDTC144VMB,315
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
PDTD123YQAZ
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
PDTC114ET,215
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
PDTA114EM,315
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883