Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
BUK7E3R1-40E,127
Product Overview
Fabrikant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BUK7E3R1-40E,127-DG
Beschrijving:
NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Voorraad:
1263 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12996589
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BUK7E3R1-40E,127 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
Bulk
Reeks
TrenchMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6200 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
234W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I2PAK
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datasheet & Documenten
Technische fiches
BUK7E3R1-40E
Datasheets
BUK7E3R1-40E,127
HTML Gegevensblad
BUK7E3R1-40E,127-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
398
Andere namen
2156-BUK7E3R1-40E,127-954
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Vendor Undefined
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDP8442-F085
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
SPS04N60C3E8177AKMA1
LOW POWER_LEGACY
MCAC60N08Y-TP
MOSFET N-CH DFN5060
IRFR120
8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M