PBSS5112PAP,115
Fabrikant Productnummer:

PBSS5112PAP,115

Product Overview

Fabrikant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

PBSS5112PAP,115-DG

Beschrijving:

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Voorraad:

34680 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12967784
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

PBSS5112PAP,115 Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Bipolaire Transistor Arrays
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
2 PNP
Stroom - collector (ic) (max)
1A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
120V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
480mV @ 100mA, 1A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
190 @ 100mA, 2V
Vermogen - Max
510mW
Frequentie - Overgang
100MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
6-UDFN Exposed Pad
Leverancier Device Pakket
6-HUSON (2x2)

Datasheet & Documenten

Technische fiches
PBSS5112PAP,115 Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,888
Andere namen
2156-PBSS5112PAP,115-954

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN

intersil

CA3083R4339

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN