Fabrikant Productnummer:
PBSS5230QAZ
Product Overview
Fabrikant:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PBSS5230QAZ-DG
Beschrijving:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
Voorraad:
554308 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12996639
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PBSS5230QAZ Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
PNP
Stroom - collector (ic) (max)
2 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
30 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
210mV @ 50mA, 1A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
60 @ 2A, 2V
Vermogen - Max
325 mW
Frequentie - Overgang
170MHz
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
3-XDFN Exposed Pad
Leverancier Device Pakket
DFN1010D-3
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,691
Andere namen
2156-PBSS5230QAZ-954
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
PBSS5612PA,115
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
