Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
PDTB113EQA147
Product Overview
Fabrikant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PDTB113EQA147-DG
Beschrijving:
TRANS PREBIAS
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 150 MHz 940 mW Surface Mount DFN1010D-3
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12947511
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PDTB113EQA147 Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele, Vooraf Voorzien Bipolaire Transistors
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
-
Reeks
PDTB113EQA
Toestand van het product
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Stroom - collector (ic) (max)
500 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Weerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
1 kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
33 @ 50mA, 5V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequentie - Overgang
150 MHz
Vermogen - Max
940 mW
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Pakket / Doos
3-XDFN Exposed Pad
Leverancier Device Pakket
DFN1010D-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
PDTB114EQA147 Datasheet
Datasheets
PDTB113EQA147
HTML Gegevensblad
PDTB113EQA147-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
8,219
Andere namen
NEXNXPPDTB113EQA147
2156-PDTB113EQA147
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PDTC144WM,315
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
PDTC123JMB315
TRANS PREBIAS
PDTC114YU,115
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
PDTC114YQA147
TRANS PREBIAS