Fabrikant Productnummer:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Fabrikant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PHE13009/DG,127-DG
Beschrijving:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Voorraad:
3680 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12947849
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PHE13009/DG,127 Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
12 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
400 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
2V @ 1.6A, 8A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
100µA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
8 @ 5A, 5V
Vermogen - Max
80 W
Frequentie - Overgang
-
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-220-3
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
912
Andere namen
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PMSS3904135
NOW NEXPERIA PMSS3904 - SMALL SI
NZT753
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10
PHE13003C,126
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
