Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
PMPB29XNE,115
Product Overview
Fabrikant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PMPB29XNE,115-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Voorraad:
19000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12947298
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PMPB29XNE,115 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
33mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
DFN1010B-6
Pakket / Doos
6-XFDFN Exposed Pad
Datasheet & Documenten
Technische fiches
PMPB29xNE,115 Datasheet
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,184
Andere namen
2156-PMPB29XNE,115
NEXNXPPMPB29XNE,115
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
HUF75639S3ST
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDMC7660S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
PHB21N06LT,118
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5