PSMN8R5-108ESQ
Fabrikant Productnummer:

PSMN8R5-108ESQ

Product Overview

Fabrikant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

PSMN8R5-108ESQ-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 108 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12811991
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

PSMN8R5-108ESQ Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
108 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tj)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5512 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
263W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I2PAK
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
PSMN8

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
568-11432-5
934068134127

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
nxp-semiconductors

PH6030L,115

MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56

nxp-semiconductors

PMT200EN,115

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

nxp-semiconductors

PSMN005-55P,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

infineon-technologies

IPN70R2K0P7SATMA1

MOSFET N-CH 700V 3A SOT223