Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
DTD113E
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DTD113E-DG
Beschrijving:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Gedetailleerde Beschrijving:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Voorraad:
25000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12934311
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DTD113E Technische specificaties
Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele, Vooraf Voorzien Bipolaire Transistors
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Stroom - collector (ic) (max)
100 mA
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
50 V
Weerstand - Basis (R1)
1 kOhms
Weerstand - Emitter Basis (R2)
1 kOhms
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
3 @ 5mA, 10V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Stroom - Collector Cutoff (Max)
500nA
Vermogen - Max
350 mW
Graad
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Leverancier Device Pakket
TO-92 (TO-226)
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheet
Aanvullende informatie
Standaard pakket
11,539
Andere namen
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DTA114Y
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA
DTC123E
TRANS PREBIAS
2SC3916
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
2SA1524
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP