Fabrikant Productnummer:
FDFME3N311ZT
Product Overview
Fabrikant:
onsemi
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FDFME3N311ZT-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Voorraad:
12850488
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FDFME3N311ZT Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
-
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
75 pF @ 15 V
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Vermogensdissipatie (max.)
1.4W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-MicroFET (1.6x1.6)
Pakket / Doos
6-UFDFN Exposed Pad
Basis productnummer
FDFME3
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
FDFME3N311ZT-DG
FDFME3N311ZTTR
FDFME3N311ZTCT
FDFME3N311ZTDKR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SSM6H19NU,LF
Fabrikant
Toshiba Semiconductor and Storage
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
54777
DEELNUMMER
SSM6H19NU,LF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.07
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
HUFA76409D3ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
FDMC86102
MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
FDC5612
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
